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Qi 標準的接收機線圈
概述

無線充電聯盟 (WPC) Qi 標準的實施讓各種終端應用擁有了無線充電功能。每一種應用的接收機 (Rx) 線圈的尺寸和/或功率要求可能會不同。要想實現一種成功、高效的 Qi 標準 Rx 設計,Rx 線圈是一個關鍵組件。另外,利來國際AG還有許多設計方法和平衡折中需要考慮。因此,在實施某個解決方案時,設計人員必須謹慎選擇方法,並且有條不紊地進行設計。本文將詳細討論實現一種成功的 Rx 線圈設計所要解決的一些技術問題。文章涉及基本變壓器的 Qi 標準係統模型、Rx 線圈測量與係統級影響,以及檢查某個設計是否能夠成功運行的一些方法。利來國際AG假設,本文讀者已掌握 Qi 標準電感式電源係統的基礎知識。如欲了解背景資料。

 

變壓器 Qi 標準係統

對於許多近場無線電源係統(如 WPC 規定的無線電源係統)而言,使用一個簡單的變壓器,便可以對磁電力傳輸行為建模。傳統變壓器通常為單一物理結構,兩個繞組纏繞一個磁芯材料,且磁芯導磁性遠高於空氣(圖 1)。由於傳統變壓器使用高導磁性材料來傳輸磁通量,因此一個線圈所產生的大部分(並非全部)磁通量與另一個線圈耦合。耦合程度可以通過一個被稱作耦合係數的參數來測定,其以k(取值範圍為 0 到 1)來表示。

3 個參數定義一個雙線圈變壓器:

L11 為線圈 1 的自電感。

L22 為線圈 2 的自電感。

L12 為線圈 1 和 2 的互感。

兩個線圈之間的耦合係數可以表示為:

 

 

那麽,利用圖 2 所示耦合電感器,便可以對理想變壓器建模。

利用該電感器的電壓和電流關係,便可得到該雙線圈變壓器的波節方程式:

 

 

 

 

為了方便進行電路分析,圖 2 所示模型可以懸臂模型常用名稱來表示,如圖 3所示。此處的磁耦合和互感,被簡化為漏電感和磁化電感。這樣,通過一個電路實現,利來國際AG便可以理解這種耦合的物理性質。就理想變壓器而言,利來國際AG可以使用下列方程式計算出其匝數比:

 

 

 

 

在強耦合係統中,漏電感占磁化電感的百分比很小,因此在求一次近似值時,該參數可以忽略不計。除高耦合外,Qi 標準係統中使用的串聯諧振電容也會降低漏電感的影響。所以,主線圈到次線圈的電壓增益的一次近似值為:

 

 

 

Qi 標準係統的變壓器由兩個獨立物理器件組成:發射器 (Tx) 和接收機 (Rx),並且各自有一個隔離的線圈。當 Tx 和 Rx 相互靠近放置時,它們會形成一種耦合電感關係,其可以簡單地被建模為一個使用空氣磁芯的雙線圈變壓器(請參見圖 4)。兩端的屏蔽材料起到一個磁通短路的作用。這讓磁場線(磁通量)存在於兩個線圈之間。圖 5 顯示了典型運行期間磁場線的 2D 仿真情況。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

就典型 Qi 標準係統而言,耦合係數 (k) 要比使用傳統變壓器的情況低得多。傳統變壓器的耦合係數範圍為 0.95 到 0.99。例如,95% 到 99% 磁通量耦合至次級線圈;但是,對於 Qi 標準係統來說,耦合係數範圍為 0.2 到 0.7,也即20% 到 70%。大多數情況下,Qi 標準往往會在 Tx 和 Rx 上使用一個串聯諧振電容,以緩解這種低耦合度問題。這種電容可以對諧振漏電感進行補償。

Rx 線圈的電氣需求

在某些 Rx IC 中,動態控製整流器的目標電壓隨輸出電流變化而變化。由於整流器輸出指示變壓器需要的電壓增益,因此除輸出負載或者輸出功率需求以外,必須考慮整流器的最高輸出電壓。如圖 6 所示,1A 負載時,整流器輸出範圍為 ~7 到 5 V,這便決定了變壓器所要求的電壓增益。在根據 WPC 規範(參見本文後麵的“Rx 線圈微調”小節)進行微調時,需確保 Rx 線圈可以達到 Rx IC 所需電壓水平,這一點很重要。

圖 7 所示流程圖描述了規定一個新的 Rx 線圈的建議方法。這種設計流程限製了屏蔽材料、線材規範和匝數。接下來,利來國際AG將逐一詳細討論。

屏蔽材料                                                                    

屏蔽材料有兩個主要功能:(1)為磁通量提供一條低阻抗通路,這樣能夠影響周圍金屬物體的能量線便極其少;(2)使用更少的匝數來實現更高電感的線圈,這樣便不會產生過高的電阻(匝數越多,電阻越高)。

利來國際AG可以使用能夠吸收大量磁通量的厚屏蔽材料(它們擁有高通量飽和點),以防止 Rx 線圈後麵的材料發熱。當遇到有校準磁體的 Tx 或者 Rx 時,相比細薄的屏蔽材料,厚屏蔽材料的效率不易受到影響而降低。(這種影響的詳情,請參見本文後麵的“Rx 線圈電感測量”小節)各大廠商(例如:威世(Vishay)、TDK、鬆下、E&E、Elytone和Mingstar)提供的典型材料,均可以幫助最小化效率下降。請注意,高導磁鐵氧體材料(例如:鐵粉等),並非始終都好於有隙分布材料。盡管鐵氧體材料擁有高導磁性,但是在屏蔽材料厚度減小時其通量飽和點較低。利來國際AG必須謹慎考慮這一因素。

Rx 線圈線材規範

權衡成本和性能,選擇相應的 Rx 線圈線材規範。大直徑線材或者雙股線材(兩條平行線)擁有高效率,但價格更高,並且會帶來粗Rx線圈設計。例如,PCB 線圈可能在整體成本方麵更加便宜,但相比雙股線,它會產生更高的等效串聯電阻。

匝數

一旦選定了線材和屏蔽材料,匝數便確定Rx線圈電感的大小。線圈電感和耦合決定 Rx 整流器輸出的電壓增益,以及Rx的總有效功率。圖 6 顯示了該電壓增益目標。

確定電感目標的一般方法步驟如下:

1、 Tx 的 A1 型線圈應用作主線圈特性的基礎(例如,麵積為 1500mm2,電感為 24-µH,初級電壓為 19V)。

2、 當所用屏蔽材料的導磁性遠大於空氣(>20)時,線圈麵積便可以很好地表示耦合係數。請注意,這種情況僅適用於單層或者雙層線匝的平麵線圈。特殊線圈結構不適用該原則。為了確保合理的耦合和高效率,一個 5W 係統時,Rx線圈的線圈麵積約為 A1 線圈的 70% 到 80%。這樣可以確保大多數合理設計擁有約 50% 的耦合係數,並且 Tx 和 Rx 線圈之間的距離 dz 達到 WPC 規定的 5mm。

3、 根據平均預計整流器電壓確定理想電壓增益—例如:圖 6 所示曲線圖中的 6V。本例中,電壓增益為 ~0.32 (6 V/19 V)。

5-V/5-W 輸出電壓係統的典型設計表明,耦合係數為 0.5 左右時,約10 µH 的二次電感便足以產生要求的目標電壓。係統設計中,利來國際AG需要考慮兩種關係:

 

 

 

因此,如果耦合係數從 0.5 變為 0.4,相同功率輸出的電感會增加至先前電感的1.6 倍。這就意味著新電感為 ~16 µH。如方程式 5b 所示,線圈電感與匝數與比例關係。

表 1 列出了專為該係統設計的某些常見線圈的二次電感和耦合係數。

 

 

 

 

 

請注意,這些經驗法則適用於一般平麵線圈,主要用作設計入門。實際設計可利用仿真工具獲得最理想的優化,如圖 7 中流程圖所示。

Rx 線圈電感測量

Rx線圈電感是一個非常重要的參數,它表明了 Rx AC/DC 功率級的電氣響應(例如:電壓增益和輸出阻抗等)。要想保持一致的響應,不同係統方案中電感的變化必須最小。由於 Qi 標準的通用性,Rx 線圈可以放置在不同類型的 Tx上,而這可能會影響 Rx 線圈電感——從而影響電氣響應。

根據 WPC 規範的 4.2.2.1 小節內容,可使用圖 8 所示測試配置結構,對 Rx線圈電感 L′S 進行測量。隔離墊片和 Tx 屏蔽材料為模擬 Rx 線圈周圍的 Tx 組件提供了參考。在這種測試配置結構中,Tx 屏蔽為 TDK 公司的 50 × 50 × 1-mm 鐵氧體材料(PC44)。利用非金屬隔離墊片,使間隙 dZ 達到 3.4 mm。然後,將 Rx 線圈放置在該墊片上,使用 1-V RMS 和 100 kHz 測量 L′S。另外,在沒有 Tx 屏蔽的情況下,可對無間隙 Rx 線圈電感 Ls 進行測量。

 

 

 

 

 

 

 

 

       WPC 規範並未詳細說明常見係統方案對 L′S 和 Ls 測量的影響。對這些參數最為常見的影響是在 Rx 線圈背後有一顆電池。由於封裝材料和電池的構造問題,當在其背後放置電池時,Rx線圈電感通常會降低。除電池以外,Tx 線圈結構中磁體的存在,也會對電感產生影響。(參見 WPC 規範1的 3.2.1.1.4 小節內容)該磁體相當於一個 Rx 線圈屏蔽材料的壓力源,其中,屏蔽材料的磁性飽和點是一個關鍵參數。如果磁體存在時Rx線圈屏蔽材料飽和,則線圈電感急劇下降。由於 Qi 標準對有磁體和無磁體 Tx 線圈組件都進行了規定,因此設計人員需要知道兩種情況下電感的變化,因此電感的任何變化都會改變 Rx 的諧振微調。請注意,圖 8 所示測試配置結構並沒有包括磁體。當包括某個磁體時,其磁通量密度應介於 75 和 150 mT 之間,而其通徑應為最大值 15.5 mm。這就意味著,電力傳輸時 Tx 線圈的典型 30-mT 磁場,約為該磁體磁場強度的 20%。

      為了方便理解 Rx 線圈電感的性能,除 L′S 和 Ls 建議測量方法以外,表 2 還對其他參數進行了定義說明。當測量涉及電池時,電池的放置應與其在最終係統中的方向/位置相同。請注意,最終工業設計中所使用的材料也可能會影響最終電感測量結果。因此,當對調諧電路進行配置時,最終測量應使用最終移動設備工業設計的所有組件。表 1 所列測量用於屏蔽和驗證可能的 Rx 線圈。

 

 

 

 

 

 

 

表 3 總結了一個可接受型線圈設計的測得電感,以及使用固定串聯和並聯諧振電容的諧振頻率。這裏,L′S_b 用於電容計算。(詳情參見下一小節“Rx 線圈調諧”。)請注意,它們可能會以L′S的百分比線性變化,並可用作原型線圈驗收的一種參考。

  

 

 

Rx 線圈調諧

簡化版 Rx 線圈網絡由一個串聯諧振電容 C1 和一個並聯諧振電容 C2 組成。這兩個電容組成了一個使用 Rx 線圈的雙諧振電路(參見圖 9),其大小尺寸必須根據 WPC 規範來正確選擇。

 

 

 

 

 

 

 

若想計算 C1,L′S 時,諧振頻率需為 100 kHz:

 

 

若要計算 C2,Ls 時,次級諧振頻率需為 1.0 MHz。計算要求首先確定 C1,然後代入方程式 7 計算:

 

 

 

最後,品質因數必須大於 77,其計算方法如下:

 

 

其中,R 為線圈的 DC 電阻。

Rx 線圈的負載線分析

在選擇某個 Rx 線圈時,設計人員需要通過負載線分析(I-V 曲線)比較主級線圈和 Rx 線圈,從而了解變壓器特性。這種分析可獲得 Qi 標準係統的兩個重要條件:(1)工作點特性;(2)瞬態響應。利來國際AG將在後麵具體討論。

工作點特性

 

 

 

 

 

 

 

 

圖 10 顯示了負載線分析的一個測試配置例子,其參數定義如下:

VIN 為一個 AC 電源,其擁有 19V 峰值到峰值運行能力。

CP 為主級串聯諧振電容(A1 型線圈為 100 nF)。

LP 為主級線圈( A1 型)。

LS 為次級線圈。

C1 為受測 Rx 線圈所用串聯諧振電容。

C2 為受測 Rx 線圈所用並聯諧振電容。

CB 為二極管橋接的大容量電容。25V 時,CB 應至少為 10 µF。

V 為開爾文連接電壓表。

A 為串聯安培計。

RL 為相關負載。

二極管橋接應由全橋或者同步半橋肖特基二極管以及低側 n 型 MOSFET 和高側肖特基構成。分析共有三個測試程序:

1、 向 LP 提供 19V AC 信號,開始頻率為 200kHz。

2、 從無負載到預計全負載範圍,對所得整流電壓進行測量。

3、 降低頻率,不斷重複前兩個步驟,頻率降至 110kHz 時停止。

圖 11 顯示了一個負載線分析舉例。該圖表明,不同的負載和整流器條件,產生不同的工作頻率。例如,1A 時,動態整流器目標為 5.15V。因此,工作頻率介於 150kHz 和 160kHz 之間,其為一個可以接受的工作點。如果該工作點超出WPC 規定的 110 到 205 kHz 頻率範圍,則係統無法收斂,並會變得不穩定。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

瞬態響應

進行瞬態分析時,有兩個重要的點,如圖 11 所示:(1)諧振頻率(175kHz)下的整流器電壓;(2)恒定工作點時從無負載到全負載的整流器電壓下降。

本例中,諧振電壓為 ~5 V,其高於芯片的 VUVLO。因此,可以保證 Qi 標準係統的啟動。如果該頻率下電壓接近或者低於 VUVLO,則可能無法啟動。

如果最大負載步進為 1A,則圖 11 中,140-kHz 負載線情況下,電壓為 6V 時,本例的壓降為 ~1 V。要對這種壓降進行分析,無負載時 7V 啟動的 140-kHz 負載線,需達到預計最大負載電流要求。壓降為負載線兩端電壓之差。選定工作頻率下可以接受的全負載電壓應高於 5V。如果低於 5V,電源輸出也會降至這一水平。由於 Qi 標準係統的反饋響應較慢,因此進行這種瞬態響應分析是必要的。這種分析,可以模擬係統未對諧振變壓器工作點進行調節時可能出現的瞬態特性。

請注意,主級線圈和次級線圈之間的耦合,會因 Rx 線圈對準誤差而變得糟糕。因此,利來國際AG建議,在存在多種對準誤差的情況下對負載線進行多次分析,以確定平麵空間中 Rx 是否會中斷運行。

結論

本文說明了利來國際AG可以運用傳統的變壓器基本原理,簡化無線充電係統的 Tx 線圈設計。但是,通用性和移動設備的特性,也使標準磁學設計方法出現一些獨特的變化。仔細閱讀和理解前麵利來國際AG介紹的線圈設計內容,可以增加您一次成功的機率。利來國際AG介紹的一些評估方法,可以讓您非常有條理地規定和描述一種定製 Rx 線圈。

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